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SI1025X-T1-E3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SI1025X-T1-E3
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 250mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Basis-Teilenummer SI1025
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4Ohm @ 500mA, 10V
Lieferanten-Gerätepaket SC-89-6
Gate Charge (Qg) (Max.) 1.7nC @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 23pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 190mA

Auf Lager 62 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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