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VWM200-01P

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: VWM200-01P
Beschreibung: MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Verpackung Bulk
FET-Funktion Standard
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max -
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall V2-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 2mA
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 5.2mOhm @ 100A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket V2-PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 430nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. -
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 210A

Auf Lager 59 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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