Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
VWM200-01P
| Hersteller: | IXYS |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | VWM200-01P |
| Beschreibung: | MOSFET 6N-CH 100V 210A V2 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | IXYS |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| FET-Typ | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| Verpackung | Bulk |
| FET-Funktion | Standard |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | V2-PAK |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 5.2mOhm @ 100A, 10V |
| Lieferanten-Gerätepaket | V2-PAK |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 430nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | - |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 210A |
Auf Lager 59 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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