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IRFD224PBF

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFD224PBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.1Ohm @ 380mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 1W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Gate Charge (Qg) (Max.) 14nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 260pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 630mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 2500 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.42 $1.39 $1.36
Minimale: 1

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