IRFD224PBF
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IRFD224PBF |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Vishay / Siliconix |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.1Ohm @ 380mA, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 1W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 14nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 260pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 630mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 2500 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.42 | $1.39 | $1.36 |
Minimale: 1