TSM7ND65CI
Hersteller: | Taiwan Semiconductor Corporation |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | TSM7ND65CI |
Beschreibung: | 650V 7A SINGLE N-CHANNEL POWER M |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.35Ohm @ 1.8A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 50W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | ITO-220 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 25nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1124pF @ 50V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 7A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 4000 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.41 | $1.38 | $1.35 |
Minimale: 1