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IRFBC20S

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFBC20S
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 18nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 350pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 86 pcs

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