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2N6661JTXP02

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: 2N6661JTXP02
Beschreibung: MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4Ohm @ 1A, 10V
Verlustleistung (Max.) 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-39
Drain to Source Voltage (Vdss) 90V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 50pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 860mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V

Auf Lager 79 pcs

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