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2N6661-E3
| Hersteller: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | 2N6661-E3 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Siliconix |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tube |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 4Ohm @ 1A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-39 |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 90V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 50pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 860mA (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Auf Lager 87 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
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Minimale: 1
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