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VS-GT400TH120U

Hersteller: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: VS-GT400TH120U
Beschreibung: IGBT 1200V 750A 2344W DIAP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ Trench
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 2344W
Konfiguration Half Bridge
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall Double INT-A-PAK (3 + 8)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket Double INT-A-PAK
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.35V @ 15V, 400A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 750A
Eingangskapazität (Cies) 51.2nF @ 30V
Strom - Collector Cutoff (Max) 5mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 98 pcs

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