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VS-GT100TP120N
| Hersteller: | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Modules |
| Datenblatt: | VS-GT100TP120N |
| Beschreibung: | IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Modules |
| Eingabe | Standard |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 652W |
| Konfiguration | Half Bridge |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| NTC-Thermistor | No |
| Paket / Fall | INT-A-PAK (3 + 4) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | INT-A-PAK |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 100A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 180A |
| Eingangskapazität (Cies) | 12.8nF @ 30V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 66 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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