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VS-GB75LP120N
| Hersteller: | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Modules |
| Datenblatt: | VS-GB75LP120N |
| Beschreibung: | IGBT 1200V 170A 658W INT-A-PAK |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Modules |
| Eingabe | Standard |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 658W |
| Konfiguration | Single |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| NTC-Thermistor | No |
| Paket / Fall | INT-A-PAK (3 + 4) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | INT-A-PAK |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 1.82V @ 15V, 75A (Typ) |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 170A |
| Eingangskapazität (Cies) | 5.52nF @ 25V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 54 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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