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TP90H180PS

Hersteller: Transphorm
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TP90H180PS
Beschreibung: GANFET N-CH 900V 15A TO220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Transphorm
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±18V
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 500µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 205mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (Max.) 78W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max.) 10nC @ 8V
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 780pF @ 600V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 747 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$11.40 $11.17 $10.95
Minimale: 1

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