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SCT3060ALGC11

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SCT3060ALGC11
Beschreibung: MOSFET NCH 650V 39A TO247N
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) +22V, -4V
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 5.6V @ 6.67mA
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 78mOhm @ 13A, 18V
Verlustleistung (Max.) 165W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247N
Gate Charge (Qg) (Max.) 58nC @ 18V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 852pF @ 500V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 39A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 18V

Auf Lager 1394 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$11.26 $11.03 $10.81
Minimale: 1

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