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TPN2R805PL,L1Q

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TPN2R805PL,L1Q
Beschreibung: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSIX-H
FET-Typ N-Channel
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 300µA
Betriebstemperatur 175°C
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.8mOhm @ 40A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max.) 39nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 45V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3.2nF @ 22.5V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 139A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 96 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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