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TPN2R805PL,L1Q
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | TPN2R805PL,L1Q |
| Beschreibung: | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | U-MOSIX-H |
| FET-Typ | N-Channel |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 300µA |
| Betriebstemperatur | 175°C |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 2.8mOhm @ 40A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 2.67W (Ta), 104W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 39nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 45V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 3.2nF @ 22.5V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 139A (Ta), 80A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 96 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.30 | $0.29 | $0.29 |
Minimale: 1
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