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BSC883N03LSGATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSC883N03LSGATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.8mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TDSON-8-1
Gate Charge (Qg) (Max.) 34nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 34V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2800pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 17A (Ta), 98A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 79 pcs

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