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TPC8129,LQ(S

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TPC8129,LQ(S
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVI
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) +20V, -25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 200µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 22mOhm @ 4.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOP
Gate Charge (Qg) (Max.) 39nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1650pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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