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DMT3009LFVWQ-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMT3009LFVWQ-13
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount, Wettable Flank
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 11mOhm @ 14.4A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.3W (Ta), 35.7W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Gate Charge (Qg) (Max.) 12nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 823pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 3.8V, 10V

Auf Lager 77 pcs

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