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TPC6006-H(TE85L,F)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TPC6006-H(TE85L,F)
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSIII-H
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 75mOhm @ 1.9A, 10V
Verlustleistung (Max.) 700mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket VS-6 (2.9x2.8)
Gate Charge (Qg) (Max.) 4.4nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 251pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 92 pcs

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