Image is for reference only , details as Specifications

TK60D08J1(Q)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK60D08J1(Q)
Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 60A TO220W
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 7.8mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (Max.) 140W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220(W)
Gate Charge (Qg) (Max.) 86nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 5450pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 60A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 73 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

TPCA8102(TE12L,Q,M
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
TPCA8031-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
TPCA8023-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
SI1071X-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI1065X-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0