TK60D08J1(Q)
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | TK60D08J1(Q) |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 75V 60A TO220W |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 7.8mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 140W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-220(W) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 86nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 5450pF @ 10V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 60A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 73 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1