TK7E80W,S1X
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | TK7E80W,S1X |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | DTMOSIV |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 280µA |
Betriebstemperatur | 150°C |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 950mOhm @ 3.3A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 110W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-220 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 13nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 700pF @ 300V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6.5A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 295 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$2.74 | $2.69 | $2.63 |
Minimale: 1