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R8002ANX

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: R8002ANX
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Bulk
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4.3Ohm @ 1A, 10V
Verlustleistung (Max.) 35W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220FM
Gate Charge (Qg) (Max.) 12.7nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 210pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 495 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.71 $2.66 $2.60
Minimale: 1

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