Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

TK560A65Y,S4X

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK560A65Y,S4X
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSV
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 240µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 560mOhm @ 3.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 30W
Lieferanten-Gerätepaket TO-220SIS
Gate Charge (Qg) (Max.) 14.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 380pF @ 300V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 175 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.32 $1.29 $1.27
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IPP80R1K2P7XKSA1
Infineon Technologies
$1.32
TP2535N3-G
Lanka Micro
$1.31
IRFD9220PBF
Vishay / Siliconix
$1.28
IRLR120PBF
Vishay / Siliconix
$1.28
R5007ANX
ROHM Semiconductor
$1.25