IPP80R1K2P7XKSA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IPP80R1K2P7XKSA1 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | CoolMOS™ P7 |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 80µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.2Ohm @ 1.7A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 37W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-TO220-3 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 11nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 300pF @ 500V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 220 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$1.32 | $1.29 | $1.27 |
Minimale: 1