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IPP80R1K2P7XKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPP80R1K2P7XKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ P7
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 80µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Verlustleistung (Max.) 37W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 11nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 300pF @ 500V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 220 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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