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TK4P60DB(T6RSS-Q)
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | TK4P60DB(T6RSS-Q) |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK-3 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | π-MOSVII |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max.) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 2Ohm @ 1.9A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 80W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | D-Pak |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 11nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 540pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3.7A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 97 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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