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TK4P60DA(T6RSS-Q)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK4P60DA(T6RSS-Q)
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie π-MOSVII
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 4.4V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.2Ohm @ 1.8A, 10V
Verlustleistung (Max.) 80W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D-Pak
Gate Charge (Qg) (Max.) 11nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 490pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 78 pcs

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