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TK22A10N1,S4X

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK22A10N1,S4X
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 52A TO-220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVIII-H
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 300µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 13.8mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (Max.) 30W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220SIS
Gate Charge (Qg) (Max.) 28nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1800pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 22A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 39 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.34 $1.31 $1.29
Minimale: 1

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