Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

TK58A06N1,S4X

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK58A06N1,S4X
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 58A TO-220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVIII-H
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 500µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 5.4mOhm @ 29A, 10V
Verlustleistung (Max.) 35W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220SIS
Gate Charge (Qg) (Max.) 46nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3400pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 58A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 50 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.27 $1.24 $1.22
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

TK58E06N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.27
R6020ENJTL
ROHM Semiconductor
$0
IPA80R1K4P7XKSA1
Infineon Technologies
$1.24
FQPF20N06
ON Semiconductor
$1.23
SQJQ100EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0