Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

TK16E60W5,S1VX

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK16E60W5,S1VX
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO-220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSIV
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 790µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 230mOhm @ 7.9A, 10V
Verlustleistung (Max.) 130W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220
Gate Charge (Qg) (Max.) 43nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1350pF @ 300V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 15.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 91 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

TK17E65W,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
IPD50R380CEATMA1
Infineon Technologies
$0
DMN2400UFDQ-7
Diodes Incorporated
$0
DMG6968UQ-7
Diodes Incorporated
$0
DMG2302UQ-7
Diodes Incorporated
$0