DMN2400UFDQ-7
Hersteller: | Diodes Incorporated |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | DMN2400UFDQ-7 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Diodes Incorporated |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 3-PowerUDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 600mOhm @ 200mA, 4.5V |
Verlustleistung (Max.) | 400mW (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | U-DFN1212-3 (Type C) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 0.5nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 37pF @ 16V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 900mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Auf Lager 78 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1