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DMN2400UFDQ-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMN2400UFDQ-7
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 3-PowerUDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 400mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket U-DFN1212-3 (Type C)
Gate Charge (Qg) (Max.) 0.5nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 37pF @ 16V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 900mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

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