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SSM3K318T,LF

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SSM3K318T,LF
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSIV
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 107mOhm @ 2A, 10V
Verlustleistung (Max.) 700mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket TSM
Gate Charge (Qg) (Max.) 7nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 235pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 54 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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