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SSM3K309T(TE85L,F)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SSM3K309T(TE85L,F)
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 31mOhm @ 4A, 4V
Verlustleistung (Max.) 700mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket TSM
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1020pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4V

Auf Lager 98 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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