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RN2713JE(TE85L,F)
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Datenblatt: | RN2713JE(TE85L,F) |
| Beschreibung: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Serie | - |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 100mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-553 |
| Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| Widerstand - Basis (R1) | 47kOhms |
| Frequenz - Übergang | 200MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | ESV |
| Widerstand - Emitter-Basis (R2) | - |
| Vce Sättigung (Max.) | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 120 @ 1mA, 5V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 50V |
Auf Lager 4000 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.57 | $0.56 | $0.55 |
Minimale: 1
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