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RN2709JE(TE85L,F)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: RN2709JE(TE85L,F)
Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 100mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-553
Transistortyp 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Widerstand - Basis (R1) 47kOhms
Frequenz - Übergang 200MHz
Lieferanten-Gerätepaket ESV
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 22kOhms
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 70 @ 10mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 4000 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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