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RN2107MFV,L3F

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: RN2107MFV,L3F
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Bulk
Teilstatus Active
Leistung - Max 150mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-723
Transistortyp PNP - Pre-Biased
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms
Lieferanten-Gerätepaket VESM
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 47 kOhms
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 80 @ 10mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 56 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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