Image is for reference only , details as Specifications

BCR183E6359HTMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: BCR183E6359HTMA1
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP SOT23
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie Automotive, AEC-Q101
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Last Time Buy
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp NPN - Pre-Biased
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms
Frequenz - Übergang 200MHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23-3
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 10 kOhms
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 30 @ 5mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 67 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

BCR148E6393HTSA1
Infineon Technologies
$0
BCR135E6359HTMA1
Infineon Technologies
$0
BCR133E6393HTSA1
Infineon Technologies
$0
FJV4104RMTF
ON Semiconductor
$0
FJV4101RMTF
ON Semiconductor
$0