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RN1444ATE85LF
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Datenblatt: | RN1444ATE85LF |
| Beschreibung: | TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Serie | - |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 200mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
| Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
| Frequenz - Übergang | 30MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | S-Mini |
| Vce Sättigung (Max.) | 100mV @ 3mA, 30mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 300mA |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 200 @ 4mA, 2V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 20V |
Auf Lager 67 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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