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RN1109CT(TPL3)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: RN1109CT(TPL3)
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Cut Tape (CT)
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 50mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-101, SOT-883
Transistortyp NPN - Pre-Biased
Widerstand - Basis (R1) 47 kOhms
Lieferanten-Gerätepaket CST3
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 22 kOhms
Vce Sättigung (Max.) 150mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 50mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 100 @ 10mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 20V

Auf Lager 63 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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