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HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: HN1B04FU-Y(T5L,F,T
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Transistortyp NPN, PNP
Betriebstemperatur 125°C (TJ)
Frequenz - Übergang 150MHz
Lieferanten-Gerätepaket US6
Vce Sättigung (Max.) 250mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 150mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 120 @ 2mA, 6V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 50 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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