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HN4B01JE(TE85L,F)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: HN4B01JE(TE85L,F)
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 100mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-553
Transistortyp NPN, PNP (Emitter Coupled)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 80MHz
Lieferanten-Gerätepaket ESV
Vce Sättigung (Max.) 250mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 150mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 120 @ 10MA, 100MA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 435 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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