HN4B01JE(TE85L,F)
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
Datenblatt: | HN4B01JE(TE85L,F) |
Beschreibung: | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
Serie | - |
Verpackung | Digi-Reel® |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 100mW |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-553 |
Transistortyp | NPN, PNP (Emitter Coupled) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Frequenz - Übergang | 80MHz |
Lieferanten-Gerätepaket | ESV |
Vce Sättigung (Max.) | 250mV @ 10mA, 100mA |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 150mA |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 120 @ 10MA, 100MA |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 50V |
Auf Lager 435 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1