Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

HN1B01FU-GR,LF

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: HN1B01FU-GR,LF
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 200mW, 210mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Transistortyp NPN, PNP
Betriebstemperatur 125°C (TJ)
Frequenz - Übergang 150MHz
Lieferanten-Gerätepaket US6
Vce Sättigung (Max.) 250mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 150mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 200 @ 2mA, 6V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 96 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

PIMZ2,125
Nexperia USA Inc.
$0.06
PEMZ1,115
Nexperia USA Inc.
$0.07
DST3906DJ-7
Diodes Incorporated
$0.06
PMBT3906YS,115
Nexperia USA Inc.
$0.06
PEMX1,315
Nexperia USA Inc.
$0.06