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PEMZ1,115

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: PEMZ1,115
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 40V 0.1A SOT666
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max 300mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Transistortyp NPN, PNP
Basis-Teilenummer P*MZ1
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 100MHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-666
Vce Sättigung (Max.) 200mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 120 @ 1mA, 6V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 40V

Auf Lager 64 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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