Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

HN1A01FE-GR,LF

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: HN1A01FE-GR,LF
Beschreibung: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max 100mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Transistortyp 2 PNP (Dual)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 80MHz
Lieferanten-Gerätepaket ES6
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 150mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 200 @ 2mA, 6V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 71 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.06 $0.06 $0.06
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

HN1B04FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
BC847PNH6727XTSA1
Infineon Technologies
$0.07
HN1C01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
HN1B01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
PIMZ2,125
Nexperia USA Inc.
$0.06