HN1A01FE-GR,LF
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
Datenblatt: | HN1A01FE-GR,LF |
Beschreibung: | TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
Serie | - |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 100mW |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
Transistortyp | 2 PNP (Dual) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Frequenz - Übergang | 80MHz |
Lieferanten-Gerätepaket | ES6 |
Vce Sättigung (Max.) | 300mV @ 10mA, 100mA |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 150mA |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 200 @ 2mA, 6V |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 50V |
Auf Lager 71 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.06 | $0.06 | $0.06 |
Minimale: 1