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HN1A01F-Y(TE85L,F)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: HN1A01F-Y(TE85L,F)
Beschreibung: TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 300mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-74, SOT-457
Transistortyp 2 PNP (Dual)
Betriebstemperatur 125°C (TJ)
Frequenz - Übergang 80MHz
Lieferanten-Gerätepaket SM6
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 150mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 120 @ 2mA, 6V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 61 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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