Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

DMMT5551-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: DMMT5551-7
Beschreibung: TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max 300mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6
Transistortyp 2 NPN (Dual) Matched Pair
Basis-Teilenummer DMMT5551
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 300MHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-26
Vce Sättigung (Max.) 200mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 200mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 80 @ 10mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 160V

Auf Lager 3000 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.08 $0.08 $0.08
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

MMDT4126-7
Diodes Incorporated
$0.08
HN1C01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
BC857BV-TP
Micro Commercial Co
$0
HN4B04J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
NST3906DP6T5G
ON Semiconductor
$0