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GT8G133(TE12L,Q)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: GT8G133(TE12L,Q)
Beschreibung: IGBT 400V 600MW 8TSSOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Eingabetyp Standard
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 600mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Testbedingung -
Schalten der Energie -
TD (ein/aus) bei 25°C 1.7µs/2µs
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket 8-TSSOP
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.9V @ 4V, 150A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 150A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 400V

Auf Lager 91 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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