Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
GT10J312(Q)
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | GT10J312(Q) |
| Beschreibung: | IGBT 600V 10A 60W TO220SM |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Verpackung | Tube |
| Eingabetyp | Standard |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 60W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Testbedingung | 300V, 10A, 100Ohm, 15V |
| Basis-Teilenummer | GT10 |
| Schalten der Energie | - |
| TD (ein/aus) bei 25°C | 400ns/400ns |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-220SM |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Reverse Recovery Time (trr) | 200ns |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 10A |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 20A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 600V |
Auf Lager 80 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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