FGH30N120FTDTU
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
Datenblatt: | FGH30N120FTDTU |
Beschreibung: | IGBT 1200V 60A 339W TO247 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
Serie | - |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Verpackung | Tube |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 208nC |
Teilstatus | Obsolete |
Leistung - Max | 339W |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Testbedingung | - |
Schalten der Energie | - |
TD (ein/aus) bei 25°C | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-247-3 |
Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
Reverse Recovery Time (trr) | 730ns |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 60A |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 90A |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 67 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1