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FGH30N120FTDTU

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: FGH30N120FTDTU
Beschreibung: IGBT 1200V 60A 339W TO247
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 208nC
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 339W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Testbedingung -
Schalten der Energie -
TD (ein/aus) bei 25°C -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247-3
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr) 730ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 60A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 90A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 67 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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