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2SK879-Y(TE85L,F)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - JFETs
Datenblatt: 2SK879-Y(TE85L,F)
Beschreibung: JFET N-CH 0.1W USM
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - JFETs
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 100mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Betriebstemperatur 125°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket USM
Spannung - Cutoff (VGS aus) 400mV @ 100nA
Strom - Abfluss (Idss) - Vds (Vgs=0) 1.2mA @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 8.2pF @ 10V

Auf Lager 2836 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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