Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
2SK3666-3-TB-E
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - JFETs |
| Datenblatt: | 2SK3666-3-TB-E |
| Beschreibung: | JFET N-CH 10MA 200MW 3CP |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - JFETs |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 200mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Basis-Teilenummer | 2SK3666 |
| Widerstand - RDS(On) | 200 Ohms |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 3-CP |
| Stromabfluss (Id) - Max | 10mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Spannung - Cutoff (VGS aus) | 180mV @ 1µA |
| Strom - Abfluss (Idss) - Vds (Vgs=0) | 1.2mA @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 4pF @ 10V |
Auf Lager 1853 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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