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2SD2257,Q(J
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt: | 2SD2257,Q(J |
| Beschreibung: | TRANS NPN 3A 100V TO220-3 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 2W |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Transistortyp | NPN |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Frequenz - Übergang | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-220NIS |
| Vce Sättigung (Max.) | 1.5V @ 1.5mA, 1.5A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 3A |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 2000 @ 2A, 2V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 100V |
Auf Lager 54 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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