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2SD2206(TE6,F,M)
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt: | 2SD2206(TE6,F,M) |
| Beschreibung: | TRANS NPN 2A 100V TO226-3 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 900mW |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Transistortyp | NPN |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Frequenz - Übergang | 100MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-92MOD |
| Vce Sättigung (Max.) | 1.5V @ 1mA, 1A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 2A |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 2000 @ 1A, 2V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 100V |
Auf Lager 69 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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